产品介绍
多弧钛靶 离子镀膜靶材 真空镀膜靶材 离子镀膜靶材 钛块 高纯钛块 钛材 真空镀膜靶材 钛靶 平面靶材 圆柱钛靶
价 格:¥电议
型 号:100*40MM
产品完善度:
生产地:其他访问量:14次
发布日期:2017/10/12 19:29:20
更新日期:2017/10/12 19:29:20
详细内容
φ95*45MM、φ100*40MM
此产品广泛应用于真空镀膜行业,多弧离子镀膜设备,应用于各种膜层的镀制,银色,金色,玫瑰金,黑钛,玫瑰红,七彩色等
钛 靶
一、牌号
国内牌号:TA1、TA2、TA3、TA7、TA9、TA10、TC4、TC11 。
美标牌号:GR1、GR2、GR3、GR5、GR7、GR11。
二、应用领域
产品广泛应用于真空制盐,精细化工,石油化工,制药,氯碱工业,电镀,电解,航空
航天,海水淡化等行业。
三、加工工艺
锻造、轧制
四、表面
车光、倒角。表面清洁光滑,无起皮,气孔,裂纹等缺陷。
五、规格
Φ100*40,Φ98*40,Φ95*45,Φ90*40,Φ85*35,Φ65*40较常见,其他规格可按客户
要求制作。
六、执行标准
国标:GB/T 16598,GB/T2965 。
美标:ASTM B381,ASTM F67,ASTMF136, ASTM B348。
七、检测
破坏性检测:物理性能测试,硬度测试,化学成分测试。
无损检测:超声检测,渗透检测,外观检测。
靶材的主要性能要求:
纯度
纯度是靶材的主要性能指标之一,因为靶材的纯度对薄膜的性能影响很大。不过在实际应用中,对靶材的纯度要求也不尽相同。例如,随着微电子行业的迅速发展,硅片尺寸由6", 8"发展到12", 而布线宽度由0.5um减小到0.25um,0.18um甚至0.13um,以前99.995%的靶材纯度可以满足0.35umIC的工艺要求,而制备0.18um线条对靶材纯度则要求99.999%甚至99.9999%。
杂质含量
靶材固体中的杂质和气孔中的氧气和水气是沉积薄膜的主要污染源。不同用途的靶材对不同杂质含量的要求也不同。例如,半导体工业用的纯铝及铝合金靶材,对碱金属含量和放射性元素含量都有特殊要求。
密度
为了减少靶材固体中的气孔,提高溅射薄膜的性能,通常要求靶材具有较高的密度。靶材的密度不仅影响溅射速率,还影响着薄膜的电学和光学性能。靶材密度越高,薄膜的性能越好。此外,提高靶材的密度和强度使靶材能更好地承受溅射过程中的热应力。密度也是靶材的关键性能指标之一。
晶粒尺寸及晶粒尺寸分布
通常靶材为多晶结构,晶粒大小可由微米到毫米量级。对于同一种靶材,晶粒细小的靶的溅射速率比晶粒粗大的靶的溅射速率快;而晶粒尺寸相差较小(分布均匀)的靶溅射沉积的薄膜的厚度分布更均匀。
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