产品介绍
IGBT模块 FZ1200R16KF4 找FZ1200R16KF4
价 格：￥1
型 号：
产品完善度：
生产地：其他访问量：63次
发布日期：2016/12/28 10:45:07
更新日期：2017/12/21 10:16:32
详细内容
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FZ1200R16KF4 IGBT模块
参数规格
产品种类： IGBT 模块
产品： IGBT Silicon Modules
配置： Dual
集电极—发射极电压 VCEO： 1600 V
集电极—射极饱和电压： 3.5 V
在25 C的连续集电极电流： 1200 A
栅极—射极漏泄电流： 400 nA
功率耗散： 7.8 kW
工作温度： + 125 C
封装 / 箱体： IHM130
商标： Infineon Technologies
栅极/发射极电压： +/- 20 V
小工作温度： - 40 C
安装风格： SMD/SMT
工厂包装数量： 8
公司介绍
深圳市亚泰盈科电子有限公司
主营各大品牌进口IC分销贸易
主营品牌：TI 模拟数字信号处理器 收发器 接口 音频器件与逻辑器件
AD 混合信号处理器 数模转换器 传感器 音视频器件与处理器DSP
NXP 放大器 电源管理IC 二极管 双极性晶体管 数据转换 媒体处理器 微控制器MCU 可控硅整流
TOSSHIBA 通用逻辑IC CMOS逻辑IC 光电耦合器 存储器
IR 整流器 驱动器 放大功率器
ST 存储器 微控制器
MICHIPS MUC
XILINX ALTERA LATTICE 可编程逻辑器件
HITTTIE RFMD 微波射频器件
SAMSUNG HYNIX Spansion ISSI 存储器DDR2 DDR3
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FZ1200R16KF4 IGBT模块
参数规格
产品种类： IGBT 模块
产品： IGBT Silicon Modules
配置： Dual
集电极—发射极电压 VCEO： 1600 V
集电极—射极饱和电压： 3.5 V
在25 C的连续集电极电流： 1200 A
栅极—射极漏泄电流： 400 nA
功率耗散： 7.8 kW
工作温度： + 125 C
封装 / 箱体： IHM130
商标： Infineon Technologies
栅极/发射极电压： +/- 20 V
小工作温度： - 40 C
安装风格： SMD/SMT
工厂包装数量： 8
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主营品牌：TI 模拟数字信号处理器 收发器 接口 音频器件与逻辑器件
AD 混合信号处理器 数模转换器 传感器 音视频器件与处理器DSP
NXP 放大器 电源管理IC 二极管 双极性晶体管 数据转换 媒体处理器 微控制器MCU 可控硅整流
TOSSHIBA 通用逻辑IC CMOS逻辑IC 光电耦合器 存储器
IR 整流器 驱动器 放大功率器
ST 存储器 微控制器
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XILINX ALTERA LATTICE 可编程逻辑器件
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