M6362A驱动外置MOSFET适用于高性能、低待机功耗、低成本的离线式反激开关电源。在满载时，IC在固定频率(65KHz)模式下运行。当负载降低时，工作在谷底导通的绿色工作模式，实现高功率下的高转换效率。当负载很小的时候，芯片以“扩展的突发模式”运行，以减少待机功耗。因此，在整个负载范围内可以实现高转换效率。
M6362A的特征：

全面的保护功能：VCC锁定与迟滞(UVLO)

在通用输入电压范围内固定输出功率限制的电流阈值设置

4输出电压保护(输出OVP)与自动恢复

OVP触发电压可由辅助绕组与PRT销连接的电阻调节
5，开机软启动减少MOSFET Vds的压力应力

谷底导通工作模式@中低负载

优化EMI性能的抖频技术
M6362A产品电路图：

R1,R2,J1,R3,R11,C4,C5,C6,C15,D2,D3组成芯片的启动电路及供电环路；该电路为AC两级启动电路，可以有效的降低待机功耗，功耗可以控制在75mW以内，启动时间2S以内；注意当芯片的应用功率大于49W时，待机功耗小于210mW即可满足六级能效的要求。

M6362A的工作概述

线反激式电源适配器。

M6362A的启动电流设计得非常低，VCC可以在UVLO阈值水平上充电，设备快速启动。因此，

M6362A产品特点工作电流

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