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集成电路专项实施取得的攻关成果及应用情况
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发布日期：2017/6/6 17:21:19
更新日期：2017/6/6 17:21:19
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2017年的5月对于中国半导体产业来说，注定不是一个平凡的5月。
2017年5月23日，科技部会同北京市和上海市人民政府组织召开了国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”（简称集成电路专项）成果发布会。发布会介绍了集成电路专项实施取得的攻关成果及应用情况。
此次发布的专项成果包括9年来已研发成功并进入海内外市场的30多种高端装备和上百种关键材料产品，面向全球开展服务的65至28纳米产品工艺和高密度封装集成技术成果。
过去九年中，在集成电路制造创新体系的引领带动下，专项成绩斐然，硕果累累：
北方华创通过近九年的科技攻关，完成了刻蚀机、磁控溅射、氧化炉、低压化学气相沉积、清洗机、原子层沉积等集成电路设备90/55/40/28纳米工艺验证，实现产业化。公司的刻蚀机等三大类集成电路设备进入14纳米工艺验证阶段，首次实现与国外设备同步验证。在02专项支持下，12英寸集成电路设备实现从无到有，批量销售，成为公司的主要收入来源之一。
中微半导体通过先后承担并圆满完成65-45纳米、32-22纳米、22-14纳米等三项等离子介质刻蚀设备产品研制和产业化的02专项任务，使我国在该项设备领域中的技术基本保持了与国际先进水平同步。中微半导体已经有460多个介质刻蚀反应台在海内外27条生产线上高质稳定的生产了4000多万片晶圆。中微半导体在台积电的研发线上正在进行5纳米的刻蚀开发和核准。中微半导体刻蚀设备材料国产化率达到35%，已开发了20多个国内的反应器和系统主机加工等供应厂商，加工能力和质量达到了国际先进水平，并成功迫使美国从瓦森纳协定的军民两用出口限制清单中将刻蚀设备移除。
中芯国际产能和技术研发取得突破性进展，成套工艺水平由2008年的110纳米提升到28纳米，完成65-45-28纳米成套工艺研发并实现量产；65/55纳米产品累计销售超过180亿元，40/45纳米产品累计销售超过100亿元；2015年32/28纳米工艺开始量产高通骁龙系列产品，2016年28纳米高K金属栅工艺(HKMG)成功流片，并经联芯4G移动终端CPU产品认证；14纳米研发获得突破；2017年联合中科院微电子所等单位开始了“7-5纳米集成电路先导工艺与系统集成新技术”的研发。
长电科技承担重大专项五项，借助专项的实施，掌握了国际先进封装技术，包括WLCSP、WAafer Bumping、FC、铜线工艺等十大封装技术，成为全球的集成电路WLCSP封装基地，同时也是全球第四大晶圆凸块封装基地；
晶方半导体专注于传感器领域先进封测服务，为全球的晶圆级芯片尺寸封测服务商，是全球首家具备12英寸晶圆级芯片尺寸封装量产能力的专业封测厂商 ，在传感器领域拥有全球封装量产完整的专利布局。
江丰电子、安集微电子等公司的溅射靶材和抛光液等上百种关键材料通过大生产线考核进入批量销售；
自主知识产权体系逐渐建立，集成电路专项已申请了2.3万余项国内发明专利和2000多项国际发明专利，所形成的知识产权体系使国内企业在国际竞争中的实力和地位发生了巨大变化，掌握了发展的主动权，发展模式也从“引进消化吸收再创新”转变为“自主研发为主加国际合作”的新模式。
在专项支持下，一批龙头企业进入世界前列；一批骨干企业进入国际市场；一批企业成功上市，备受青睐。与此同时，国内企业应用专项成果研制出成套的LED和光伏制造装备，使得我国LED和光伏等泛半导体产业综合竞争力大幅跃升，产业规模和技术水平实现了国际领先。
2017年5月23日，科技部会同北京市和上海市人民政府组织召开了国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”（简称集成电路专项）成果发布会。发布会介绍了集成电路专项实施取得的攻关成果及应用情况。
此次发布的专项成果包括9年来已研发成功并进入海内外市场的30多种高端装备和上百种关键材料产品，面向全球开展服务的65至28纳米产品工艺和高密度封装集成技术成果。
过去九年中，在集成电路制造创新体系的引领带动下，专项成绩斐然，硕果累累：
北方华创通过近九年的科技攻关，完成了刻蚀机、磁控溅射、氧化炉、低压化学气相沉积、清洗机、原子层沉积等集成电路设备90/55/40/28纳米工艺验证，实现产业化。公司的刻蚀机等三大类集成电路设备进入14纳米工艺验证阶段，首次实现与国外设备同步验证。在02专项支持下，12英寸集成电路设备实现从无到有，批量销售，成为公司的主要收入来源之一。
中微半导体通过先后承担并圆满完成65-45纳米、32-22纳米、22-14纳米等三项等离子介质刻蚀设备产品研制和产业化的02专项任务，使我国在该项设备领域中的技术基本保持了与国际先进水平同步。中微半导体已经有460多个介质刻蚀反应台在海内外27条生产线上高质稳定的生产了4000多万片晶圆。中微半导体在台积电的研发线上正在进行5纳米的刻蚀开发和核准。中微半导体刻蚀设备材料国产化率达到35%，已开发了20多个国内的反应器和系统主机加工等供应厂商，加工能力和质量达到了国际先进水平，并成功迫使美国从瓦森纳协定的军民两用出口限制清单中将刻蚀设备移除。
中芯国际产能和技术研发取得突破性进展，成套工艺水平由2008年的110纳米提升到28纳米，完成65-45-28纳米成套工艺研发并实现量产；65/55纳米产品累计销售超过180亿元，40/45纳米产品累计销售超过100亿元；2015年32/28纳米工艺开始量产高通骁龙系列产品，2016年28纳米高K金属栅工艺(HKMG)成功流片，并经联芯4G移动终端CPU产品认证；14纳米研发获得突破；2017年联合中科院微电子所等单位开始了“7-5纳米集成电路先导工艺与系统集成新技术”的研发。
长电科技承担重大专项五项，借助专项的实施，掌握了国际先进封装技术，包括WLCSP、WAafer Bumping、FC、铜线工艺等十大封装技术，成为全球的集成电路WLCSP封装基地，同时也是全球第四大晶圆凸块封装基地；
晶方半导体专注于传感器领域先进封测服务，为全球的晶圆级芯片尺寸封测服务商，是全球首家具备12英寸晶圆级芯片尺寸封装量产能力的专业封测厂商 ，在传感器领域拥有全球封装量产完整的专利布局。
江丰电子、安集微电子等公司的溅射靶材和抛光液等上百种关键材料通过大生产线考核进入批量销售；
自主知识产权体系逐渐建立，集成电路专项已申请了2.3万余项国内发明专利和2000多项国际发明专利，所形成的知识产权体系使国内企业在国际竞争中的实力和地位发生了巨大变化，掌握了发展的主动权，发展模式也从“引进消化吸收再创新”转变为“自主研发为主加国际合作”的新模式。
在专项支持下，一批龙头企业进入世界前列；一批骨干企业进入国际市场；一批企业成功上市，备受青睐。与此同时，国内企业应用专项成果研制出成套的LED和光伏制造装备，使得我国LED和光伏等泛半导体产业综合竞争力大幅跃升，产业规模和技术水平实现了国际领先。
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