特征：

◇峰值脉冲功率400W（8 /20μs）；

◇低电压TVS二极管阵列，用于ESD和闭锁保护；

◇SO-8封装；

◇符合RoHS；

◇无铅；

◇保护四线；

◇符合IEC61000 -4-2 Level4级：接触放电>12kV，空气放电>17kV。

应用：

◇10/100/1000以太网；

◇基站；

◇模拟输入；

◇交换系统；

◇广域网/局域网设备；

◇激光二极管保护；

◇台式机，服务器，笔记本和手持设备。

2、KRESD0522P

KRESD0522P对应RCLAMP0542T ，RCIAMP0522P。

特征：

◇峰值脉冲功率150W（8/20μS）；

◇超低电容ESD保护；

◇容值0.4PF；

◇封装DFN1.6x1.0-6L；

◇符合RoHS；

◇无铅；

◇保护两个高速数据线路；

◇符合IEC61000 -4-2 Level4级：接触放电>12kV，空气放电>17kV。

应用：

◇PCI Express接口；

◇MIDI端口；

◇eSATA接口；

◇DisplayPort接口；

◇数字视频接口（DVI）；

◇高清晰度多媒体接口（HDMI）。

3、KR905P

KR905P代替WPM1481，FDMA905P－－－－封装DFN2X2-6L，P沟道。

特征、相关参数：

VDS = -12V,VGS=±8，ID = -15A  

RDS(ON) <15mΩ @ VGS=-4.5V ；

RDS(ON) <20mΩ @ VGS=-2.5V ；

RDS(ON) <45mΩ @ VGS=-1.8V ；

RDS(ON) <80mΩ @ VGS=-1.5V 。

Asvanced trench MOSFET process technology  Ultra low on-resistance with low gate charge  New Thermally Enhanced DFN2X2-6L Package

Application：

PWM applications Load switch battery charge in cellular handset

4、KR4606

KR4606代替AO4606，ME4542，－－-封装SOP8，N+P沟道。

相关参数：

N-Channel：VDS=30V，VGS=±20V，ID=7.1A；

P-Channel：VDS=-30V，VGS=±20V，ID=-6A；

RDS(ON)≦25mΩ@VGS=10V (N-Ch)

RDS(ON)≦40mΩ@VGS=4.5V (N-Ch)

RDS(ON)≦35mΩ@VGS=-10V (P-Ch)

RDS(ON)≦58mΩ@VGS=-4.5V (P-Ch)

应用：

电源管理；

DC/DC Converter；  

LCD TV & Monitor Display inverter；

CCFL inverter；  

LCD Display inverter。

5、KRESD05-4：

KRESD05-4对应WE05-4RVLCH、ESDA6V8UF、SRV05-4LC-T7、SFI05-4RVLC。

特征：

◇峰值脉冲功率150W（8/20μS）；

◇低电容ESD保护；

◇容值0.5PF；

◇SOT23-6封装；

◇符合RoHS；

◇无铅；

◇保护四个高速数据线路和Vcc；

◇符合IEC61000-4-2 Level 4：接触放电>13kV，空气放电>18kV。

应用：

◇SIM端口；

◇ATM接口；

◇以太网个10/100/1000 BaseT；

◇笔记本电脑；

◇视频线路保护；

◇数字视频接口（DVI）；

◇IEEE 1394端口Firewires；

◇USB 2.0电源和数据线保护；

◇显示器和平板显示器。