双束电浆离子束 (Plasma FIB)宜特建置业界特新型FEI Helios Plasma FIB (简称PFIB)，蚀刻速率提升20倍，且配置高分辨率的SEM，能在数百微米的大范围内，精细定位出奈米尺度的特征物或异常点。若是小范围且局部的Cross section分析，仍建议使用Dual-Beam FIB，边切边拍，让您快速取得结构图。但大范围结构观察(剖面>100um或 深度>50um以上)，即推荐使用PFIB，不但蚀刻速率提升20倍，可获得更精细的分析结果，又可避免使用传统研磨的方式，因研磨应力产生的结构损坏与定位精细度的问题。Plasma FIB分析应用大范围的结构观察(>100μm以上)，包括： 3D IC、硅穿孔结构(TSV )、锡球(Solder ball)及铜柱(Cu pillar)、封装产品(WLCSP FA)等。 Delayer应用 (16nm先进制程以下)。 关于宜特：iST始创于1994年的台湾，主要以提供集成电路行业可靠性验证、失效分析、材料分析、无线认证等技术服务。2002年进驻上海，全球现已有7座实验室12个服务据点，目前已然成为深具影响力之芯片验证第三方实验室。