芯片线路修改聚焦式离子束显微镜(FIB)的利用液相镓金属的离子源，照射于样品表面以取得影像或去除物质。此种功能与FESEM (场放射性扫描电子显微镜)相似，但FIB利用镓离子撞击样品表面。搭配有机气体有效的选择性蚀刻与沉积导体或非导体。其主要应用于IC线路修正(circuit edit)、局部横切面 (cross-section), 晶粒相差特性分析等。 电路修补 (Circuit Edit)利用聚焦离子束显微镜(FIB)来做集成电路(IC)电路修正是具有具大经济效益的应用。在不需重开光罩的前提下，FIB可节省IC设计原型(prototype) 验证的时间，增快上市时间(Time-to-market)，对于IC设计者有十分大的帮助。FIB可在微米甚至奈米尺度上做选择性蚀刻与沉积导体或非导体，提供IC设计者直接修改线路的机会，以达成布局验证的目的，节省开发时间与修改经费。设备 宜特科技在高阶FIB的设备规格与产能上始终保持领先。拥有目前业界具高阶的FEI V400ACE机台，可精细执行20奈米制程之front-side与back-side FIB线路修补案件。另还建置两台FEI 986-IET升级版机台，除可精细执行28奈米案件外，还可直接在8吋晶圆上做on-chip的FIB应用。 宜特全球共计有超过23台FIB机台，相较同业在良率及产能上都占有优势。且实验室全年无休，提供每日24小时，每周7日的不间断服务，以确保客户案件能在24小时内准时回货。 FIB机台综合规格如下可达4.5nm分辨率，XX小可执行20nm metal-1之线路修补。XX大可放置8吋晶圆。支持 Knights Merlin CAD Navigation 软件。高准确度雷射导引stage。内建红外线显微镜可观察CMP层及绝缘硅层 。金属联机材质有钨(阻值较低)及白金(速度较快)两种选择。 提升电路修复良率的建议在去封胶、打线或封装后建议先回测再进行FIB。 同一颗IC上执行越多的修改内容 ，fail风险会越高。 FIB联机的阻值较原IC联机要高，若有低电阻联机需求请于委案时先注明。 建议提供GDSII电路图文件以利定位(局部区域或层数即可) ，将有助提升良率。关于宜特：iST始创于1994年的台湾，主要以提供集成电路行业可靠性验证、失效分析、材料分析、无线认证等技术服务。2002年进驻上海，全球现已有7座实验室12个服务据点，目前已然成为深具影响力之芯片验证第三方实验室。