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IGBT 的转移特性是指输出漏电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。它与MOSFET 的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs(th) 时，IGBT 处于关断状态。在IGBT 导通后的大部分漏电流范围内， Id 与Ugs呈线性关系。高栅源电压受大漏电流限制，其佳值般取为15V左右。

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