产品介绍
英飞凌IGBT模块 FF1200R17KE3 量多可询
价 格：￥1
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发布日期：2020/9/18 12:07:21
更新日期：2021/2/24 16:41:36
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IGBT硅片的结构与功率MOSFET 的结构十分相似，主要差异是IGBT增加了P+ 基片和个N+ 缓冲层(NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分)。如等效电路图所示(图1)，其中个MOSFET驱动两个双器件。基片的应用在管体的P+和 N+ 区之间创建了个J1结。 当正栅偏压使栅下面反演P基区时，个N沟道形成，同时出现个电子流，并完全按照功率 MOSFET的方式产生股电流。
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IGBT硅片的结构与功率MOSFET 的结构十分相似，主要差异是IGBT增加了P+ 基片和个N+ 缓冲层(NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分)。如等效电路图所示(图1)，其中个MOSFET驱动两个双器件。基片的应用在管体的P+和 N+ 区之间创建了个J1结。 当正栅偏压使栅下面反演P基区时，个N沟道形成，同时出现个电子流，并完全按照功率 MOSFET的方式产生股电流。
公司经销的产品有： 巴斯曼(Bussmann),西门子(Siemens)，法国罗兰(FERRAZ),英飞凌（infineon）,欧派克（EUPEC）,西门康（SEMIKRON）,三菱(MITSUBISHI)，富士(FUJI), 东芝(TOSHIBA),艾赛斯（IXYS）, 西班牙 （CATELEC）三社等公司生产的IGBT，IPM，PIM，GTR，可控硅，快恢复二管,整流桥,熔断器,保险丝；进口快速熔断器 ，各种进口品牌驱动电路；公司成立多年以来直抱着诚信，互惠的原则，热忱为广大新老客户提供优质的产品和快捷的供货服务。在同行业中我们以品种全、现货库存量大，质量优、信用好而享誉国际市场。公司秉承“保证质量，保持信誉”的经营理念，坚持“客户至上”的原则为广大客户提供优质的服务。公司实力雄厚，重信用、守合同、保证产品质量，以多品种经营特色和薄利多销的原则，赢得了广大客户的信任。
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