外延晶片在线光折射检测仪

特 点 : 对 2”-200 mm 的晶片可以进行在线的光折射扫描，也可升级至 300mm 检测直径； 扫描范围从 0.75 eV 到 2.2 eV, 3.6 eV 可选； 在室温，禁带宽度和偏移 (Band gap/band offset) 测量可精确到 2 meV ； 可进行表面 / 界面电场测量； 入射角可从 15° 到 75°, 特别适合于 VCSEL/RCLED 晶片； 先进的模型软件： TDFF, FDFF, FKO 拟合；

外延晶片在线光折射检测仪

优 点 : 快速非接触式外延晶片表征； 直接测量晶片的带宽，偏移和表面 / 界面电场； 应用于统计的过程控制，提高加工稳定性； 大幅节省由于晶片破坏性实验和设备制造的费用； 提高晶片生产率；较少的校正可以提高利润； 控制晶片的质量，以避免进入下一步工序造成的损失； VCSEL 和 RCLED 晶片上的非破坏性实验； 应 用 : 室温下高精度禁带宽度测量； 外延晶片材料中关键部位的电场测量； 为 HBT 晶片质量和静态过程控制提供技术； 无损检测 VCSEL 和 RCLE 晶片产品质量； 可以适用多种晶片生产设备 (GaAs, InP, SiGe; GaN 可选 ) 适用于 HBT, pHEMT, LED, QWIP, 边发射激光器材料；