优异的性能
世界首创—单晶硅谐振传感器
高精度： 0.075%
连续工作五年不需调校
温度影响可忽略不计
静压影响可忽略不计
单向过压影晌：连续10万次单向过压实验后影晌量< 0.03%
双向通讯功能（BRAIN/HART协议，FF现场总线）
完善的自诊断功能
基本品接液膜片材质：哈氏合金C-276小型、轻量（标准型3.9kg）

先进的工作原理;

采用微电子加工技术（MEMS）在一个单晶硅芯片表面的中心和边缘制作两个形状、尺寸、材质完全一致的Ｈ形状的谐振梁，谐振梁在自激振荡
回路中作高频振荡（如图1）。
单晶硅片的上下表面受到的压力不等时，将产生形变，导致中心谐振梁因压缩力而频率减小，边缘谐振因受拉伸力而频率增加（如图2）。

　两频率之差信号直接送到CPU进行数据处理，然后
　　（1）经D/A转换成4-20mA输出信号，通讯时叠加Brain或Hart数字信号；
　　（2）直接输出符合现场总线（Fieldbus Foundation TM）标准的数字信号。

安装灵活;

　　可无需支架，直接安装；
　　常规使用，无需三阀组
组态灵活简便;

　　可通过计算机或手操器对变送器组态，也可通过变送器上的量程设置按钮
　　和调零按钮，进行现场调整