四探针电阻率测试仪主要技术参数：
1.测量厚度大于4倍探针间距的硅晶体，也可测量薄硅片电阻率及方阻。
2.电阻率测量范围复盖常用的区段：0.01—199.9Ω·cm。（可添加电阻率小于0.5Ω·cm的报警功能）
     方块电阻测量范围复盖常用的区段：0.1—1999Ω/□。（可添加方块电阻小于5Ω/□的报警功能）
3.配置高精度恒流源，测量电流稳定，分两档：1mA、10mA，每档均可在大范围内调节（1mA：0.1—1mA；10mA：1mA—10mA）。
4.测量精度高：电器测量精度优于0.3%；
     整机测量误差：测量1-100Ω·cm的标准硅片误差≤±3%。
     测量大于100Ω·cm和小于1Ω·cm的标准硅片误差≤±5%。
5.重量轻，约2.5kg；体积小：240×210×100（mm）。
6.可配用多种探针间距的四探针头：1.00mm、1.59mm。
四探针电阻率测试仪符合半导体材料电阻率的国际及国家标准测试方法。