主要测试项目：
1． 晶体的串联谐振频率FS。
2． 晶体的负载谐振频率FL。
3． 晶体的串联谐振电阻RR。
4． 晶体的负载谐振电阻RL。
5． 晶体的静电容C0。
6． 晶体的负载电容CL。
7． 晶体的频差ppm或KHz。
技术指标：
1． 晶体频率测量范围：3―――６０ＭＨｚ。
2． 等效电阻测量范围：０―――２００Ω。
3． 静电容测量范围：　０―――２０ＰＦ。
4． 负载电容的调整范围：１０―――４０ＰＦ。
5． 激励电平的调整范围：１０―――５００ｕＷ。
6． 晶体等效电阻的测量误差：≤５％。
7． 激励电平误差：　　　　　≤５０％。
8． 工作温度范围：　　＋１５―――＋３５℃。
9． 时基稳定度（10MHz）： 5×10-7
10． 电源电压：　　　２２０Ｖac　＋／－１０％。
11． 功耗：           ≤１５W。