贵金属感应熔炼炉采购
用于
太阳能级硅锭制造，也可以用于其他半导体材料提纯。
特点
控制精度高，结晶速度自由调节
采用石墨电阻或感应加热熔炼法，增加溶液搅拌，熔炼速度快
定向凝固保温采用特制加热电源
具有三相电流平衡，维护费用低
采用恒温度控制仪，可设置148段加热工艺曲线
炉室采用高真空炉体，真空度高，抽气速度快
 
主要技术参数
熔炼容量：10-450KG
电源功率：40-450KW    
设计温度：≥1700℃
工作温度：1550℃
升温速率：40℃/Min  
炉温均匀性：±5℃     
极限真空度：6.67×10-2Pa 
压升率：    0.01PaL/S     
额定充气压力：0.05Mpa    
铸锭方式：坩埚下降/保温桶提升定向凝固
伺服控制范围：0.01mm-6mm/Min 
定向凝固速率：0.01mm-0.5mm/Min 
坩埚快速返回速度：80-100 mm/Min



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